KAWASAKI, Jepun, 14 Nov (Bernama) -- Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“Toshiba”) telah membangunkan "X5M007E120," sebuah bare die[1] 1200V silikon karbida (SiC) MOSFET untuk penukar daya kenderaan[2] dengan struktur inovatif yang memberikan Hidupkan-rintangan yang rendah dan kebolehpercayaan yang tinggi. Sampel ujian kini dihantar untuk penilaian oleh pelanggan.
Kebolehpercayaan SiC MOSFET tipikal sering merosot apabila Hidupkan-rintangan meningkat disebabkan pengaktifan diod badan secara bipolar[3] semasa operasi konduksi terbalik[4]. SiC MOSFET Toshiba mengatasi isu ini melalui struktur peranti yang menggabungkan diod penghalang Schottky (SBD) ke dalam MOSFET untuk menyahaktifkan diod badan, namun, kedudukan SBD pada cip mengurangkan kawasan yang tersedia untuk saluran yang menentukan rintangan Hidupkan-operasi MOSFET dan meningkatkan cip.Hidupkan-rintangan.
BERNAMA menyediakan informasi dan berita terkini yang sahih dan komprehensif yang disebarkan melalui Wires BERNAMA; www.bernama.com; BERNAMA TV di saluran Astro 502, unifi TV 631 dan MYTV 121 dan Radio BERNAMA di frekuensi FM93.9 (Lembah Klang), FM107.5 (Johor Bahru), FM107.9 (Kota Kinabalu) dan FM100.9 (Kuching).
Ikuti kami di media sosial :
Facebook : @bernamaofficial, @bernamatv, @bernamaradio
Twitter : @bernama.com, @BernamaTV, @bernamaradio
Instagram : @bernamaofficial, @bernamatvofficial, @bernamaradioofficial
TikTok : @bernamaofficial
